×
By clicking accept, you understand that we use cookies to improveyour experience on our website. For more details, please see our
Cookie Policy.
應用于集成電路先進技術節點的平面和圖形晶圓
盛美特有專利技術(中國發明專利;專利號:ZL 2009 1 0050834.2)——半導體襯底的清洗方法和裝置（SAPS），通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實現兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達到最優化的清洗效果。
• 深溝道清洗
• CMP 后清洗
• Hard Mask 沉積后清洗
• Contact/Via 刻蝕后清洗
• Barrier Metal沉積前清洗
• 晶圓回收清洗
• EPI沉積前清洗
• ALD沉積前清洗
最多可配至8個腔體，產能225WPH
雙面清洗，最多可配5種清洗藥液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3…
最多可回收兩種藥液
集成式藥液供給模塊
設備體積小：2.35m x 5.53m x 2.85m （寬x長x高）
具有所有Ultra C SAPS II設備的功能
最多可配至12個腔體, 產能375 WPH
集成式化學藥液供給模塊
可配高溫IPA干燥的技術
設備體積小：2.35m x 6.7m x 2.85m （寬x長x高）
