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2024-9-26 10:23:07
盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）（科創(chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商，于今日推出用于扇出型面板級封裝（FOPLP）應用的新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設備。
該設備專為銅相關工藝中的邊緣刻蝕和清洗而設計，能夠同時處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕，顯著提升了工藝效率和產(chǎn)品可靠性。
盛美上海董事長王暉博士表示：“我們認為扇出型面板級封裝的地位日益凸顯，原因在于該項技術能夠滿足現(xiàn)代電子應用不斷發(fā)展的需求，在集成密度、成本效率和設計靈活性方面具有優(yōu)勢。得益于在濕法工藝方面的深厚技術專長，盛美上海新型Ultra C bev-p設備性能卓越，屬于首批可用于面板級應用的雙面邊緣刻蝕設備。我們期待Ultra C bev-p與今年推出的Ultra ECP ap-p面板級水平式電鍍設備和Ultra C vac-p負壓清洗設備共同推動具有高精度特性的大型面板先進封裝行業(yè)進步以及扇出型面板級封裝技術市場發(fā)展。”
Ultra C bev-p設備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計的濕法刻蝕工藝，在扇出型面板級封裝技術中起到至關重要的作用。該工藝對于有效避免電氣短路、最大限度降低污染風險、保持后續(xù)工藝步驟的完整性至關重要，有助于確保器件經(jīng)久耐用。該設備的高效性主要得益于盛美上海的專利技術，以應對方形面板襯底所帶來的獨特挑戰(zhàn)。
與傳統(tǒng)的圓形晶圓不同，盛美上海的獨特設計可以實現(xiàn)精確的去邊工藝，確保在翹曲面板的加工過程僅限于邊緣區(qū)域。這一專利技術對于保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進半導體技術所需的高性能和可靠性至關重要。
Ultra C bev-p 專為面板襯底而設計，可與有機面板、玻璃面板和粘合面板兼容。Ultra C bev-p能有效管理面板的正面和背面，適用尺寸由510mm x 515mm至600mm x 600mm不等，厚度在0.5mm至3mm之間。該設備可處理最大10mm的翹曲，確保最佳工藝條件。
· 高級面板處理：Ultra C bev-p配備自動操作裝置，確保搬運和傳送面板過程的安全性和精確性。
· 高效除銅：Ultra C bev-p采用稀硫酸和過氧化物（DSP）（即：去離子水、硫酸和過氧化氫的組合），可有效去除銅。此外，該設備采用去離子水進行清洗，并利用N2進行最終干燥，確保表面清潔干燥。
· 高產(chǎn)能：Ultra C bev-p能夠運行多達六個腔體，每小時可處理40個面板 (PPH)，高效實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
該系統(tǒng)的邊緣控制精度為±0.2mm，控制范圍為0-20mm。平均故障間隔時間（MTBF）為500小時，正常運行時間達95%，能夠提供卓越的可靠性、穩(wěn)定的性能和高運行效率。
