盛美上海單晶圓高溫SPM設備通過驗證

2025-3-4 8:00:00

盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）（科創板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商，于今日宣布其單晶圓中/高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設備已成功通過一家邏輯芯片制造商的大批量制造驗證。

截止目前，該設備已交付了13家客戶。該系統采用盛美上海全新的專有噴嘴設計以消除SPM工藝中的酸霧飛濺問題，有助于提高顆粒控制能力并減少腔體的清洗維護頻率，從而延長設備的正常運行時間（uptime）。該系統能夠應對28納米及以下節點前道與后道工藝中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗工藝。

盛美上海董事長王暉博士表示：“作為盛美上海持續創新的典范，單晶圓中/高溫SPM設備可有效解決客戶在大批量300毫米半導體制造方面所遇到的挑戰。我們已然看到該設備在全球范圍內獲得廣泛認可。單晶圓中/高溫SPM設備在在晶圓清洗設備市場中的所占份額不斷增長，尤其是單晶圓高溫SPM設備，下一代半導體器件生產中扮演至關重要的角色。”

盛美上海的單晶圓中/高溫SPM設備能夠應對前道與后道工藝中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗工藝，包括中低溫硫酸90℃清洗處理工藝、高溫硫酸170℃光刻膠（PR）去除工藝，以及超高溫硫酸190℃金屬剝離工藝。隨著半導體工藝節點的不斷推進，對單片高溫硫酸工藝的需求顯著增長。這一趨勢對顆粒管控、腔室氛圍管理以及硫酸溫度穩定性提出了更為嚴格的要求。盛美上海在單晶圓中/高溫SPM設備中引入了創新設計，為滿足更加嚴苛的需求做好了充分準備。

該設備集成的盛美上海專利技術包括：

· 多級加熱方式 — 可確保最高混合溫度達到230℃以上并實現穩定控制。

· 專有SPM噴嘴設計 — 可防止SPM飛濺到腔體以外，以顯著提升顆粒控制能力，使得26納米尺度下的平均顆粒數控制在10顆以內。

單晶圓中/高溫SPM設備腔體配備化學內聯混合（CIM）系統，可支持各種化學品的配置。該腔體還可與盛美上海的專利空間交變相位移（SAPS）和時序能激氣穴震蕩（TEBO）超聲波技術搭配使用，以提升晶圓清洗效果。

盛美上海單晶圓中/高溫SPM設備功能和規格

盛美上海單晶圓中/高溫SPM設備適用于多種濕蝕刻和單面或雙面清洗工藝，并支持多種化學品和清洗工藝。相較于大多數后清洗和光刻膠濕法工藝，該設備在去除有機缺陷的同時，能夠顯著減少薄膜的損失。該設備主要用于處理150毫米至300毫米晶圓，配備四個裝載端口、8至12個腔體、一個多功能化學品分配系統以及腔體自清洗功能。

行業前沿

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