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2025-7-25 8:01:00
盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）（科創板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商，今日宣布對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點制造工藝的苛刻技術要求。
升級后的Ultra C wb采用了專利申請中的氮氣（N2）鼓泡技術，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點制造工藝中，這些問題常見于高深寬比溝槽和通孔結構的傳統濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了化學藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中質量傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D 邏輯器件中有巨大的應用前景。
盛美上海總經理王堅表示：
性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術，盛美提升了Ultra C wb設備的工藝性能。批式處理工藝始終是濕法加工領域的關鍵環節，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產效率及化學品消耗方面具有顯著優勢。
升級后的Ultra C wb設備具有以下全新特性與優勢：
