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2025-9-18 14:53:22
盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）（科創板股票代碼：688082），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商，于今日宣布推出首款專為寬禁帶化合物半導體制造而設計的Ultra ECDP電化學去鍍設備。該新設備專為在晶圓圖形區域外進行電化學晶圓級金（Au）蝕刻而設計，可實現更高的均勻性、更小的側蝕和增強的金線外觀。
Ultra ECDP設備提供專業化工藝，包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍，并配備集成的預濕和清洗腔體。其具備精確的化學液循環和先進的多陽極電化學去鍍技術，該系統實現了最小化的側向蝕刻、優異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性。
盛美上海總經理王堅表示：
“受到電動汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應用等領域的強勁需求推動，化合物半導體市場持續增長。金因具有高導電性、耐腐蝕性和延展性，正成為這些器件的優勢材料，但也帶來了蝕刻和電鍍方面的挑戰。我們的新型Ultra ECDP設備克服了這些障礙，提供可靠的生產就緒型解決方案，幫助客戶實現高性能成果。這是我們如何通過創新應對客戶挑戰的又一例證。”
Ultra ECDP專為滿足化合物半導體制造不斷發展的要求而設計，可適應不同襯底（包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和磷酸鋰（Li?PO?））等的獨特物理特性 - 如重量、應力和厚度。采用模塊化設計的Ultra ECDP具有靈活性，可在單一平臺內集成電鍍和去鍍工藝，并利用多陽極技術控制不同區域的去鍍過程。此外，Ultra ECDP還提供水平全表面去鍍方式，以防止加工過程中的交叉污染。
